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第102屆中國(guó)電子展—眾多集成電路優(yōu)質(zhì)企業(yè)“大放異彩”
集成電路作為信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)與核心，被譽(yù)為“現(xiàn)代工業(yè)的糧食”，在電子設(shè)備、通訊、特種電子等方面得到廣泛應(yīng)用，對(duì)經(jīng)濟(jì)建設(shè)、社會(huì)發(fā)展和國(guó)家安全具有重要的戰(zhàn)略意義。受益消費(fèi)電子、PC等市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，以及國(guó)產(chǎn)替代不斷推進(jìn)，國(guó)內(nèi)集成電路市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)張。數(shù)據(jù)顯示，2021年我國(guó)集成電路產(chǎn)量達(dá)359.4...
2023-09-21
集成電路 電子設(shè)備 通訊 特種電子
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AMD蘇姿豐：AI對(duì)未來(lái)芯片設(shè)計(jì)十分重要，已列為戰(zhàn)略重點(diǎn)
據(jù)wccftech消息，AMD CEO蘇姿豐參加了在上海舉行的2023世界人工智能大會(huì)（WAIC），她在大會(huì)上表示，人工智能技術(shù)是未來(lái)芯片開(kāi)發(fā)的發(fā)展方向，可以在測(cè)試和驗(yàn)證階段提供幫助。
2023-09-21
AMD AI 芯片設(shè)計(jì)
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長(zhǎng)電科技鄭力：高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動(dòng)微系統(tǒng)集成變革
第24屆電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議(ICEPT2023)于近日在新疆召開(kāi),來(lái)自海內(nèi)外學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界超700名專家學(xué)者、研究人員、企業(yè)人士齊聚一堂,共話先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新、學(xué)術(shù)交流與國(guó)際合作。長(zhǎng)電科技董事、首席執(zhí)行長(zhǎng)鄭力出席會(huì)議,發(fā)表《高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動(dòng)微系統(tǒng)集成變革》主題演講。
2023-09-21
長(zhǎng)電科技 先進(jìn)封裝 微系統(tǒng)
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格康電子洽談浮動(dòng)板對(duì)板連接器優(yōu)勢(shì)
“我們格康電子是做板對(duì)板連接器產(chǎn)品起步的，在連接器生產(chǎn)領(lǐng)域有近25年的研產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，最早是從工業(yè)領(lǐng)域起步，現(xiàn)在逐漸擴(kuò)展到汽車、通信等多個(gè)領(lǐng)域。”格康電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“格康電子”)副總經(jīng)理謝英吉與記者談到。
2023-09-21
格康電子 板對(duì)板 連接器
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如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應(yīng)用？
如今，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因?yàn)樗兄谔岣吖β示w管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。
2023-09-20
氮化鎵 晶體管
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LDO穩(wěn)壓器綜合指南：噪聲、折衷方案、應(yīng)用和趨勢(shì)
本文介紹 LDO穩(wěn)壓器選型 時(shí)幾個(gè)不太注意的關(guān)鍵參數(shù)。還針對(duì)特殊低噪聲要求，將開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和LDO穩(wěn)壓器進(jìn)行了比較。此外還討論了行業(yè)趨勢(shì)，以及介紹需要高性能LDO穩(wěn)壓器的應(yīng)用。
2023-09-20
LDO穩(wěn)壓器 噪聲 趨勢(shì)
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IO Link在工業(yè)的應(yīng)用及國(guó)產(chǎn)過(guò)壓保護(hù)設(shè)計(jì)
目前ST的IO Link應(yīng)用廣泛，ST使用的是型號(hào)為STM32F76的MCU。可以利用它來(lái)支持以太網(wǎng)或者現(xiàn)場(chǎng)的工業(yè)網(wǎng)絡(luò)總線。這個(gè)板上還有USB口，它可以連接電腦，使用TEConcept的IO-Link tool、IO-Link control Tool進(jìn)行測(cè)試和配置。同時(shí)，這板上還有ST的L6360芯片。
2023-09-19
IO Link 工業(yè)應(yīng)用 過(guò)壓保護(hù)
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如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！
SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來(lái)最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動(dòng)裝配的便利性，同時(shí)減少了元件尺寸，并達(dá)成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。
2023-09-18
高性能 RDS(On) 表面貼裝
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揭秘800G OSFP VR8模塊技術(shù)與多領(lǐng)域應(yīng)用
隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不斷發(fā)展，數(shù)據(jù)傳輸速率和傳輸距離的需求也在不斷增加。800G OSFP VR8模塊作為一種新型的高速光模塊，采用OSFP可熱插拔封裝的8通道全雙工收發(fā)一體模塊，具有高性能、高可靠性、高擴(kuò)展性等優(yōu)點(diǎn)，適用于大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹800G OSFP VR8模塊的技術(shù)特點(diǎn)、...
2023-09-15
VR8模塊技術(shù) 多領(lǐng)域應(yīng)用
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