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LG電子斥資逾8億美元發展太陽能電池業務
近日，韓國LG電子表示計劃在2015年以前斥資1兆韓元(約8.28億美元)發展太陽能電池事業。LG電子預估在2015年前，太陽能電池事業將貢獻3兆韓元營收，產能由240百萬瓦提升至10億瓦。
2010-06-23
LG 太陽能 光伏 電池
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歐洲研究項目瞄準能效更高的綠色電子產品
一項全新政府投資研究項目的合作方公布多國/多領域研究計劃“END — 節能意識設計的模型、解決方案、方法和工具”的細節。這項為期三年的歐洲納電子計劃顧問委員會（ENIAC）計劃的目標是提高歐洲半導體和電子設備廠商在開發能效領先于業界的新產品和新技術方面的市場競爭力。
2010-06-23
END 節能 綠色 歐洲 半導體 電子設備
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信號速率與線纜長度的關系
致力于CAN通信的設計人員遇到種種挑戰，往返信號傳輸成為一個重要的考慮因素。本文介紹信號速率與線纜長度的關系，解決了傳輸速率和長度的關系，信號的往返將不再是問題。
2010-06-23
信號速率 線纜 CAN通信
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多晶硅錠制造技術
用于制造太陽能硅片的多晶硅錠的生長是一個相當復雜的工藝。硅錠生長工藝的目標在于優化硅錠合格率.因此生長工藝需要進行嚴格監控，并需對定向凝固爐在結晶工藝期間的無數種變量加以有效控制。本文簡述多晶硅錠的制造技術
2010-06-23
多晶硅錠 凝固工藝 線切割 凝固爐
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新材料對測量技術的挑戰
在談及芯片技術進步時，除了不斷縮小的技術節點，新材料的采用往往可以另辟蹊徑。目前談論較多的是高k介質、金屬柵、低k材料等，其它一些較為冷門的材料，如碳納米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也開始進入人們的視野。越是新興的物質越難以捉摸和測量，這就要求測量技術能夠“與時俱進”。本文對新材料...
2010-06-23
新材料 測量技術 3D集成 硅通孔技術
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半導體制造晶圓檢測技術分析
半導體制造業廣泛采用了晶圓自動檢測方法在制造過程中檢測缺陷，以緩解工況偏差和減低總缺陷密度。本文介紹晶圓檢測方法進展，有效方式識別與良率相關的缺陷。
2010-06-22
晶圓檢測 缺陷檢測 在線晶圓檢測
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通孔刻蝕工藝的檢測技術研究
隨著半導體制造技術推進到更加先進的深亞微米技術，半導體金屬布線的層數越來越多，相應的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設計尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲量由4M發展到512M時，設計規則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的...
2010-06-22
通孔刻蝕工藝 檢測技術 晶體管
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射頻封裝系統
在RF系統中，各類元件采用不同的技術制作而成，例如BBIC采用CMOS技術、收發機采用SiGe和BiCMOS技術、RF開關采用GaAs技術等。系統芯片(SOC)的優勢是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術的限制，因此不能有效利用上述各項技術的優勢。系統級封裝(SiP)可以對各種不同技術的不同電、熱和...
2010-06-22
射頻 封裝系統 ASIC BBIC
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原子層淀積技術
ALD技術的獨特性決定了其在半導體工業中的運用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導致的介質薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學極限，同時高縱寬比在器件結構中隨處可見。由于傳統的淀積技術很難滿足需求，ALD技術已充分顯示了其優勢，為器件尺寸的繼續微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...
2010-06-22
原子層淀積 ALD MOCVD PVD
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