-
Pwrx推出高壓大電流二極管模塊QRSB165001/QRD6565001
QRSB165001/QRD6565001二極管模塊采用帶狀，67mm二極管單元（每個模塊有2個），可提供的穩態電流為650A，用于高電壓/電流隔離。
2010-04-20
Pwrx 高壓 大電流 二極管 QRSB165001
-
分立器件低端市場中國企業已無差距
近年來，半導體基礎器件的二、三極管，其銷售額在世界半導體總銷售額中所占比重逐年下降，但是分立器件每年的銷售額仍以個位數平穩增長。國內半導體分立器件的發展稍好，且以每年兩位數的速度增長，高于世界的增長水平。由此可見，半導體分立器件仍有很大的發展空間
2010-04-20
分立器件 低端市場 無差距 銷售額 下降
-
泰科電子推出符合ROHS認證標準的IDC SSL連接器
日前，泰科電子宣布推出全新IDC SSL連接器，用于實現LED印刷電路板(PCB)上散線的快速、免工具刺破式連接。該產品適用于18-24 AWG的單芯及多股線，通過絕緣刺破技術消除剝線與焊接過程中繁重的人工工作
2010-04-20
泰科 ROHS認證 標準 IDC SSL連接器
-
應對技術挑戰 第四屆電路保護與電磁兼容技術研討會成功舉辦
應對技術挑戰 第四屆電路保護與電磁兼容技術研討會成功舉辦
2010-04-19
應對技術挑戰 第四屆電路保護與電磁兼容技術研討會成功舉辦
-
2011年車燈市場LED尾燈成長最強勁
由于車燈市場發展也進入成熟期，先進光源系統已成為車燈發展關鍵。2007年全球車燈市場規模132億美元，到2011年可望成長到150億美元規模。其中，LED車燈市場規模約6.9億美元，但StrategiesUmlimited預計，到2011年全球LED車燈市場規模將可成長到12億美元，LED車燈市場滲透率上看8%，年復合成長率達13%。
2010-04-19
車燈市場 LED尾燈 強勁 滲透率
-
東京農工大學開發出單層碳納米管與鈦酸鋰復合而成的鋰離子電容器
東京農工大學研究生院于2009年3月宣布，開發出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復合而成的負極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實現了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術的鋰離子電容器的體制。
2010-04-19
東京 大學 單層 碳納米管 鈦酸鋰 鋰離子電容器
-
IR上市導通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據稱，該功率MOSFET的導通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優值）為“業界最高”。全部柵極電荷量為標準50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購買1萬個時的單價為1.50美元。
2010-04-19
IR 導通電阻 耐壓 功率MOSFET
-
2011年電路保護市場將持續增長
2011年，市場預測預測表明：表面貼裝式壓敏電阻將在手機和汽車電子市場持續成長；聚合物PTC熱敏電阻在傳統過流保護如筆記本電腦和上網本的USB防護和電池的二次防護方面得到發展；NTC熱敏電阻的市場重心將偏向汽車和大型家庭用空調系統（其價值在于組件的生產，而不是熱敏電阻本身）；氣體放電管由于...
2010-04-16
過流保護 過壓保護 電路保護
-
全球半導體設備資本支出衰退潮有望扭轉
國際研究暨顧問機構Gartner發布最終統計結果，2009年全球半導體設備資本設備支出為166億美元，較2008年衰退45.8%。在主要設備部門中，受到削減資本支出的沖擊，晶圓廠設備支出大幅下滑47%，后端設備(BEE)支出亦減少40%。
2010-04-16
半導體設備 資本支出 衰退潮 扭轉
- 智能終端的進化論：邊緣AI突破能耗與安全隱私的雙重困局
- 水泥電阻技術深度解析：選型指南與成本對比
- 滑動分壓器的技術解析與選型指南
- 如何通過 LLC 串聯諧振轉換器優化LLC-SRC設計？
- 超聲波清洗暗藏"芯片密碼"：二氧化硅顆粒撞擊機理揭秘
- 運動追蹤+沖擊檢測雙感知！意法半導體微型AI傳感器開啟智能設備新維度
- 線繞電阻與金屬氧化物電阻技術對比及選型指南
- 拓撲優化：解鎖電池供電設備高效設計密碼
- 鋁殼電阻技術解析：原理、優勢與產業生態全景
- 厚膜電阻在消費電子電源管理及家電控制中的技術應用與創新
- 從光伏到充電樁，線繞電阻破解新能源設備浪涌防護難題
- GMSL雙模解析：像素模式和隧道模式如何突破傳輸瓶頸
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
