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移動通信卡:3G時代的角色變化
伴隨改革開放的深入和經濟的進一步轉型,移動通信技術得到迅猛發展,手機普及率得到迅速提高。2004~2008年,移動電話用戶數量每年都保持著17%以上的快速增長,截止到2008年底,移動電話用戶數量已經達到6.41億戶,與2004年相比增長了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中國移動
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移動通信卡:3G時代的角色變化
伴隨改革開放的深入和經濟的進一步轉型,移動通信技術得到迅猛發展,手機普及率得到迅速提高。2004~2008年,移動電話用戶數量每年都保持著17%以上的快速增長,截止到2008年底,移動電話用戶數量已經達到6.41億戶,與2004年相比增長了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中國移動
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移動通信卡:3G時代的角色變化
伴隨改革開放的深入和經濟的進一步轉型,移動通信技術得到迅猛發展,手機普及率得到迅速提高。2004~2008年,移動電話用戶數量每年都保持著17%以上的快速增長,截止到2008年底,移動電話用戶數量已經達到6.41億戶,與2004年相比增長了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中國移動
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FDZ371PZ:飛兆半導體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ,該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench?工藝 技術,為手機、醫療、便攜和消費應用設計人員帶來業界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ,能夠最大限度地減小傳導損耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消費電子 Fairchild 飛兆半導體
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FDZ371PZ:飛兆半導體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ,該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench?工藝 技術,為手機、醫療、便攜和消費應用設計人員帶來業界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ,能夠最大限度地減小傳導損耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消費電子 Fairchild 飛兆半導體
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FDZ371PZ:飛兆半導體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ,該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench?工藝 技術,為手機、醫療、便攜和消費應用設計人員帶來業界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ,能夠最大限度地減小傳導損耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消費電子 Fairchild 飛兆半導體
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CM6100:CMD 面向高速串行接口的低電容靜電放電保護設備
California Micro Devices(簡稱"CMD")今天宣布推出為 USB 2.0 高速接口和低壓差分信號與新興串行接口(如用在手機和其它移動設備中的移動產業處理器接口)提供雙通道15 kV 保護的低電容靜電放電 (ESD) 設備 PicoGuard CM6100。
2009-08-21
PicoGuard CM6100 ESD保護
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CM6100:CMD 面向高速串行接口的低電容靜電放電保護設備
California Micro Devices(簡稱"CMD")今天宣布推出為 USB 2.0 高速接口和低壓差分信號與新興串行接口(如用在手機和其它移動設備中的移動產業處理器接口)提供雙通道15 kV 保護的低電容靜電放電 (ESD) 設備 PicoGuard CM6100。
2009-08-21
PicoGuard CM6100 ESD保護
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CM6100:CMD 面向高速串行接口的低電容靜電放電保護設備
California Micro Devices(簡稱"CMD")今天宣布推出為 USB 2.0 高速接口和低壓差分信號與新興串行接口(如用在手機和其它移動設備中的移動產業處理器接口)提供雙通道15 kV 保護的低電容靜電放電 (ESD) 設備 PicoGuard CM6100。
2009-08-21
PicoGuard CM6100 ESD保護
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