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觸摸控制引領(lǐng)時(shí)尚
從銀行柜員機(jī)、到新潮的手機(jī)和家用電器，我們身邊采用觸摸控制的電子設(shè)備越來(lái)越多。觸摸傳感技術(shù)有以下很多優(yōu)點(diǎn)，例如，無(wú)須機(jī)械按鈕和滑板；提供使用方便、直觀的“指尖控制”接口；減少機(jī)械磨損，提高可靠性；為產(chǎn)品設(shè)計(jì)者提供更大靈活性；減少整體系統(tǒng)成本。
2008-11-21
AT42QT4120 AT42AT4160 MPR031 觸摸控制 觸摸傳感技術(shù) Two Touch
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觸摸控制引領(lǐng)時(shí)尚
從銀行柜員機(jī)、到新潮的手機(jī)和家用電器，我們身邊采用觸摸控制的電子設(shè)備越來(lái)越多。觸摸傳感技術(shù)有以下很多優(yōu)點(diǎn)，例如，無(wú)須機(jī)械按鈕和滑板；提供使用方便、直觀的“指尖控制”接口；減少機(jī)械磨損，提高可靠性；為產(chǎn)品設(shè)計(jì)者提供更大靈活性；減少整體系統(tǒng)成本。
2008-11-21
AT42QT4120 AT42AT4160 MPR031 觸摸控制 觸摸傳感技術(shù) Two Touch
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觸摸控制引領(lǐng)時(shí)尚
從銀行柜員機(jī)、到新潮的手機(jī)和家用電器，我們身邊采用觸摸控制的電子設(shè)備越來(lái)越多。觸摸傳感技術(shù)有以下很多優(yōu)點(diǎn)，例如，無(wú)須機(jī)械按鈕和滑板；提供使用方便、直觀的“指尖控制”接口；減少機(jī)械磨損，提高可靠性；為產(chǎn)品設(shè)計(jì)者提供更大靈活性；減少整體系統(tǒng)成本。
2008-11-21
AT42QT4120 AT42AT4160 MPR031 觸摸控制 觸摸傳感技術(shù) Two Touch
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安森美半導(dǎo)體榮獲德?tīng)柛ＬK州E&S優(yōu)質(zhì) “嘉許狀”
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)榮獲世界領(lǐng)先的汽車(chē)音頻系統(tǒng)、電子控制剎車(chē)系統(tǒng)、氣囊及其它汽車(chē)電子產(chǎn)品供應(yīng)商德?tīng)柛ｋ娮?蘇州)有限公司電子與安全產(chǎn)品工廠(簡(jiǎn)稱(chēng)德?tīng)柛ＬK州E&S)的優(yōu)質(zhì)“嘉許狀”。
2008-11-20
音頻系統(tǒng) 電子控制剎車(chē)系統(tǒng) 氣囊 汽車(chē)電子
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安森美半導(dǎo)體榮獲德?tīng)柛ＬK州E&S優(yōu)質(zhì) “嘉許狀”
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2008-11-20
音頻系統(tǒng) 電子控制剎車(chē)系統(tǒng) 氣囊 汽車(chē)電子
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安森美半導(dǎo)體榮獲德?tīng)柛ＬK州E&S優(yōu)質(zhì) “嘉許狀”
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)榮獲世界領(lǐng)先的汽車(chē)音頻系統(tǒng)、電子控制剎車(chē)系統(tǒng)、氣囊及其它汽車(chē)電子產(chǎn)品供應(yīng)商德?tīng)柛ｋ娮?蘇州)有限公司電子與安全產(chǎn)品工廠(簡(jiǎn)稱(chēng)德?tīng)柛ＬK州E&S)的優(yōu)質(zhì)“嘉許狀”。
2008-11-20
音頻系統(tǒng) 電子控制剎車(chē)系統(tǒng) 氣囊 汽車(chē)電子
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SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP：Vishay新型第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-11-20
SiR440DP SiR866DP SiR890DP MOSFET Siliconix
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SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP：Vishay新型第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-11-20
SiR440DP SiR866DP SiR890DP MOSFET Siliconix
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SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP：Vishay新型第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-11-20
SiR440DP SiR866DP SiR890DP MOSFET Siliconix
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