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基于鋰電池保護(hù)電路中MOSFET選擇的相關(guān)知識(shí)
MOSFET在鋰離子電池保護(hù)電路中都有著廣泛的應(yīng)用。但并不是所有類型的MOSFET都適合鋰電池保護(hù)電路的，這樣就涉及到MOSFET在鋰電池保護(hù)電路中的選擇問題，如何選擇呢？請(qǐng)看下文。
2012-12-06
MOSFET 鋰電池 電路保護(hù)
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村田開發(fā)出直流無線供電技術(shù)，高達(dá)70％以上電力傳輸效率
村田制作所開發(fā)出了可大幅提高整個(gè)系統(tǒng)電力傳輸效率（以下稱電力效率）的無線供電技術(shù)。由直流電源經(jīng)無線區(qū)間到達(dá)負(fù)載的電力效率比原來的技術(shù)提高了20～30個(gè)百分點(diǎn)。例如，從直流電源將功率約為75W的直流電供應(yīng)到幾十厘米遠(yuǎn)的負(fù)載時(shí)，最高能以70％以上的電力效率傳輸。
2012-12-06
村田 無線供電 傳輸效率
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“Retina” 2013年會(huì)現(xiàn)身iPad 5和iPad mini 2嗎？
喬布斯曾表示Retina顯示技術(shù)比OLED好多了，自iPhone 4，蘋果智能手機(jī)開始全面采用Retina顯示屏，而在今年推出的iPad 4、iPad mini卻未見Retina的身影，在2013年，“Retina” 會(huì)現(xiàn)身iPad 5和iPad mini 2嗎？
2012-12-06
iPad Retina iPad mini
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TE推出PPTC/MOV混合器件：應(yīng)對(duì)過流和過壓有絕招
TE推出新型2Pro AC器件，在單一部件中幫助提供增強(qiáng)保護(hù)功能。該混合PPTC/MOV器件提供更高的可靠性、更少的組件數(shù)目以及更快、更簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)過程，具備超越分立解決方案的優(yōu)勢(shì)。
2012-12-06
PPTC 過流保護(hù) 過壓
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2013第14屆立嘉國(guó)際機(jī)床展覽會(huì)
根據(jù)中國(guó)工業(yè)機(jī)械聯(lián)合會(huì)的報(bào)告，由于特殊的地理位置和經(jīng)濟(jì)區(qū)位，中國(guó)西南地區(qū)幾乎沒有受到金融危機(jī)的影響，加上成渝兩地均將發(fā)展工業(yè)及裝備制造業(yè)列入重中之重的經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃，飛機(jī)、鐵路、造船、發(fā)電設(shè)備、電子、汽車、IT產(chǎn)業(yè)等成為優(yōu)先發(fā)展的行業(yè)，因此近兩年兩地的投資將達(dá)到3萬億元，其中工業(yè)項(xiàng)...
2012-12-05
2013第14屆立嘉國(guó)際機(jī)床展覽會(huì)
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主流供應(yīng)商專家共話智能手機(jī)差異化創(chuàng)新設(shè)計(jì)
2013年將進(jìn)入LTE智能手機(jī)開發(fā)高峰期，預(yù)計(jì)英特爾、高通、英飛凌和ST- Ericsson將成為主要的LTE平臺(tái)解決方案供應(yīng)商，相變存儲(chǔ)器和SSD將成為L(zhǎng)TE智能手機(jī)的主流存儲(chǔ)解決方案。該如何選擇和利用這些平臺(tái)開發(fā)出有獨(dú)特賣點(diǎn)的差異化產(chǎn)品？ ST-Ericsson和Micron等主流供應(yīng)商專家，將于12月15日下午在第四屆...
2012-12-04
智能手機(jī) 智能手機(jī)市場(chǎng) 智能手機(jī)設(shè)計(jì) SPSZ
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探測(cè)距離能超1米的接近傳感器，明年3月量產(chǎn)
Vishay推出集成了紅外發(fā)射器、光電二極管、信號(hào)處理IC和16位ADC的接近傳感器，器件采用4.85mm x 2.35mm x 0.83mm封裝，待機(jī)電流只有1.5μA，如使用集成的發(fā)射器驅(qū)動(dòng)來驅(qū)動(dòng)，探測(cè)距離可超過1米，同時(shí)可極大降低功耗。
2012-12-04
接近傳感器 Vishay 傳感器
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僅有1.1mm高的Nextreme熱電模塊，明年Q1開始出貨
局部面積熱管理專家Nextreme最近開發(fā)出了一個(gè)新的MA8000系列薄膜熱電模塊，散熱能力更強(qiáng)，機(jī)械設(shè)計(jì)更堅(jiān)固，高度只有1.1mm高，更容易集成進(jìn)現(xiàn)有的電子系統(tǒng)。該系列有5個(gè)模塊，可在63到375平方毫米面積內(nèi)抽出10到80瓦的熱量。
2012-12-04
薄膜 熱電模塊 Nextreme
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高度2.4mm間距0.85mm的SMD DDR4 DIMM插槽
為配合2014年初英特爾將推出的Grantley服務(wù)器平臺(tái)和Haswell服務(wù)器處理器，F(xiàn)CI快速開發(fā)出了284引腳表面貼裝DDR4 DIMM插槽，間距僅為0.85毫米，高度僅為2.4mm，它完全符合JEDEC MO-309A標(biāo)準(zhǔn)。
2012-12-04
DDR4 FCI 連接器
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