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錢振宇教授技術(shù)講座：深度解讀EMI/EMC新國標(biāo)
——錢振宇教授參加第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)國內(nèi)知名EMC專家錢振宇教授于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting聯(lián)合舉辦的第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)。
2011-11-11
電路保護(hù) 電磁兼容 EMC EMI
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錢振宇教授技術(shù)講座：深度解讀EMI/EMC新國標(biāo)
——錢振宇教授參加第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)國內(nèi)知名EMC專家錢振宇教授于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting聯(lián)合舉辦的第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)。
2011-11-11
電路保護(hù) 電磁兼容 EMC EMI
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助力華東地區(qū)電源系統(tǒng)的噪音抑制解決方案——村田參加第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)
電磁兼容專業(yè)技術(shù)與解決方案供應(yīng)商村田于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting聯(lián)合舉辦的第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)
2011-11-11
電路保護(hù) 電磁兼容 EMC EMI 村田 電源
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提升LED照明電路保護(hù)高可靠性設(shè)計(jì)
——AEM科技參加第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)電路保護(hù)專業(yè)技術(shù)與解決方案供應(yīng)商AEM科技股份有限公司于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting聯(lián)合舉辦的第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)。
2011-11-11
電路保護(hù) 電磁兼容 EMC EMI AEM科技
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提升LED照明電路保護(hù)高可靠性設(shè)計(jì)
——AEM科技參加第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)電路保護(hù)專業(yè)技術(shù)與解決方案供應(yīng)商AEM科技股份有限公司于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting聯(lián)合舉辦的第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)。
2011-11-11
電路保護(hù) 電磁兼容 EMC EMI AEM科技
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2011年全球數(shù)碼相機(jī)市場出貨量年成長率約5.6%
據(jù)光電協(xié)進(jìn)會(huì)(PIDA )估計(jì)，2011年全球數(shù)碼相機(jī)市場出貨量約1億3,100萬臺(tái)，年成長率約5.6%，預(yù)估2012年全球出貨量將小幅成長到1億3,400萬臺(tái)，成長約2.3%。
2011-11-11
數(shù)碼相機(jī) 相機(jī)
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Vishay發(fā)布采用SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)的850nm紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用該公司的SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)制造的850nm紅外(IR)發(fā)射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驅(qū)動(dòng)電流、發(fā)光強(qiáng)度和光功...
2011-11-11
VSMY7852X01 VSMY7850X01 Vishay SurfLight 紅外發(fā)射器
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LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)5大關(guān)鍵點(diǎn)
這主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電...
2011-11-11
LED驅(qū)動(dòng) 開關(guān)損耗 功率管 導(dǎo)通
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2015年4G LTE用戶數(shù)量猛增
截止到2011年底，全球4G LTE用戶預(yù)計(jì)將達(dá)到1160萬個(gè)，比2010年的30萬個(gè)暴增4062%。預(yù)計(jì)2012年將保持這種驚人增長，用戶數(shù)量激增441%，達(dá)到6280萬個(gè)。
2011-11-11
LTE 4G 4GLTE
- 高精度低噪聲 or 大功率強(qiáng)驅(qū)動(dòng)？儀表放大器與功率放大器選型指南
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