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2011年功率電晶體市場將達131億美元
市場研究機構IC Insights預測，全球功率電晶體(power transistors)市場2011年將達到131億美元營收規模，較2010年成長9%；該市場在 2010年的成長率為44%。IC Insights指出，功率電晶體市場的成長動力，來自汽車、可攜式產品、替代能源與省電設備等應用領域。
2011-07-01
電晶體 IGBT 電源
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2011年功率電晶體市場將達131億美元
市場研究機構IC Insights預測，全球功率電晶體(power transistors)市場2011年將達到131億美元營收規模，較2010年成長9%；該市場在 2010年的成長率為44%。IC Insights指出，功率電晶體市場的成長動力，來自汽車、可攜式產品、替代能源與省電設備等應用領域。
2011-07-01
電晶體 IGBT 電源
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MT9D015：Aptina宣布推出手機圖像傳感器
CMOS成像解決方案的領先提供商Aptina日前宣布推出MT9D015手機圖像傳感器。該1/5英寸200萬像素圖像傳感器可以滿足手機市場中智能手機主攝像頭和前置攝像頭在拍攝照片和視頻方面日益增長的需求。
2011-06-30
MT9D015 Aptina 傳感器
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IR推出堅固可靠的高壓柵級驅動IC
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級驅動IC采用該封裝，為家用電器、工業自動化、電動工具和替代能源等一系列應用提供了超緊湊、高密度和高效率的解決方案。
2011-06-30
IR 高壓 驅動IC
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IR推出堅固可靠的高壓柵級驅動IC
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級驅動IC采用該封裝，為家用電器、工業自動化、電動工具和替代能源等一系列應用提供了超緊湊、高密度和高效率的解決方案。
2011-06-30
IR 高壓 驅動IC
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三星夏普率先量產氧化物TFT
IGZO為InGaZnO (銦鎵鋅氧化物)的縮寫，系備受關注的次世代TFT技術，屬氧化物TFT (Oxide TFT)的一種。DIGITIMES Research分析，與非晶硅(a-Si)TFT相較，氧化物TFT不僅電子移動度較高，且在TFT一致性、制造成本與制程溫度，亦均與非晶硅TFT同水平，有機會成為次世代TFT制程。
2011-06-30
氧化物TFT TFT 次世代TFT技術
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三星夏普率先量產氧化物TFT
IGZO為InGaZnO (銦鎵鋅氧化物)的縮寫，系備受關注的次世代TFT技術，屬氧化物TFT (Oxide TFT)的一種。DIGITIMES Research分析，與非晶硅(a-Si)TFT相較，氧化物TFT不僅電子移動度較高，且在TFT一致性、制造成本與制程溫度，亦均與非晶硅TFT同水平，有機會成為次世代TFT制程。
2011-06-30
氧化物TFT TFT 次世代TFT技術
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LED顯示屏信號傳輸的可靠性分析
信號在傳輸過程中，隨著距離的增大而減弱。所以，傳輸介質的選擇則顯得尤為重要。下面以RS-485作為遠距離數據傳輸線時要注意的事項。
2011-06-30
LED LED顯示屏 信號
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LED顯示屏信號傳輸的可靠性分析
信號在傳輸過程中，隨著距離的增大而減弱。所以，傳輸介質的選擇則顯得尤為重要。下面以RS-485作為遠距離數據傳輸線時要注意的事項。
2011-06-30
LED LED顯示屏 信號
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