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華盛頓大學研制出的LED 挑戰全球最薄

發布時間:2014-06-25 責任編輯:echotang

     【導讀】LED行業發展至今,質量不斷提升,價格不斷降低,現在工程師又將研發重心轉移到薄厚,今日華盛頓研發出超薄LED挑戰全球最薄。
 
  雖然LED發展到現在已經變得非常薄,但研發人員對這個「薄」的追求似乎永無止盡。日前,華盛頓大學的研究人員宣布他們研制出全球最薄的LED,只有3顆原子的厚度,是目前現有的技 術所能做到最薄的LED,其運用的重點成份為二硒化鎢(tungsten diselenide),是已知最薄的半導體。
 
 
  該項研究報告聯合作者徐曉東(Xiaodong Xu音譯)稱:這種薄度加上可摺疊的LED,將對未來便攜式集合電子設備的研發有相當重要的作用。
 
  另外,由于這種LED極其薄,所以未來研究人員可在某些微型計算機芯片中用光學信號代替現在所使用的電子,進而加大其運行效率,并降低在這一過程中產生的熱量。
 
    這種LED的厚度要比現在的LED薄上10到20倍,但依然可以發出可見的亮度。另外,這種薄型LED它既具有彈性也很堅固,還可摺疊,這樣的特性將大大增加了其靈活度,同時對未來可穿戴設備發展也將起推進作用。
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