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為什么在LLC拓?fù)渲羞x用體二極管恢復(fù)快的MOSFET？
目前，在全球能源危機(jī)的情況下，提高電子設(shè)備的能效，取得高性能同時(shí)降低能耗，成為業(yè)內(nèi)新的關(guān)注點(diǎn)。為順應(yīng)這一趨勢(shì)，世界上許多電子廠商希望在產(chǎn)品規(guī)格中提高能效標(biāo)準(zhǔn)。在電源管理方面，用傳統(tǒng)的硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器是很難達(dá)到新能效標(biāo)準(zhǔn)。因此，電源設(shè)計(jì)者已將開發(fā)方向轉(zhuǎn)向軟開關(guān)拓?fù)?，以提高電源的能?..
2019-06-03
LLC拓?fù)?nbsp; 體二極管 MOSFET
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分析斬波運(yùn)算放大器中輸入電流噪聲和偶次諧波折疊效應(yīng)
本文介紹了對(duì)一種斬波運(yùn)算放大器輸入電流噪聲的理論分析和測(cè) 量，該放大器具有 10 pF輸入電容、5.6 nV/√Hz電壓噪聲PSD和4 MHz單位增益帶寬。當(dāng)配置的閉環(huán)增益更高時(shí)，輸入電流噪聲以輸入斬波器處動(dòng)態(tài)電導(dǎo)的熱噪聲為主。
2019-05-31
斬波運(yùn)算放大器 電流噪聲 諧波折疊效應(yīng)
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變頻器為什么要外接制動(dòng)電阻？
在變頻調(diào)速系統(tǒng)中，電機(jī)的降速和停機(jī)是通過逐漸減小頻率來實(shí)現(xiàn)的，在頻率減小的瞬間，電機(jī)的同步轉(zhuǎn)速隨之下降，而由于機(jī)械慣性的原因，電機(jī)的轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速未變。
2019-05-31
變頻器 外接制動(dòng)電阻
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用二極管設(shè)計(jì)：保護(hù)敏感射頻電路及元件
在雷達(dá)或無線電接收器中，敏感型低噪聲放大器 (LNA) 在承受較大的輸入信號(hào)時(shí)必定會(huì)發(fā)生損壞。那么，有什么解決方案？
2019-05-30
二極管 設(shè)計(jì) 敏感射頻電路
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成都全面構(gòu)建電子信息產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈--2019中國（成都）電子信息博覽會(huì)7月盛大開幕
紫光IC國際城項(xiàng)目于2018年1月4日在成都天府新區(qū)舉行開工儀式，該項(xiàng)目的啟動(dòng)，對(duì)成都高科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到重要引領(lǐng)作用，電子信息已成為成都直面全球產(chǎn)業(yè)格局最具競爭力的名片。
2019-05-30
電子信息 集成電路 新型顯示 軟件服務(wù) 智能終端 人工智能
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如何設(shè)計(jì)RTC電路？
RTC為整個(gè)電子系統(tǒng)提供時(shí)間基準(zhǔn)，MCU、MPU、CPU均離不開RTC電路設(shè)計(jì)，在設(shè)計(jì)、應(yīng)用RTC單元時(shí)，常常會(huì)發(fā)現(xiàn)延時(shí)、超時(shí)或者功耗過大現(xiàn)象，如何解決RTC精度以及功耗問題呢？本文將為您介紹時(shí)鐘芯片PCF8563應(yīng)用設(shè)計(jì)，并給出相應(yīng)的解決方法。
2019-05-30
電路設(shè)計(jì) RTC電路
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一文帶你讀懂MOSFET
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。
2019-05-30
MOSFET 電場效應(yīng)
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如何簡化模擬輸入模塊的設(shè)計(jì)，便于過程控制？
為可編程邏輯控制器(PLC)或分布式控制系統(tǒng)(DCS)模塊等過程控制應(yīng)用設(shè)計(jì)模擬輸入模塊時(shí)，主要權(quán)衡因素通常是性價(jià)比。
2019-05-29
模擬輸入模塊 過程控制
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如何計(jì)算電容充放電時(shí)間？
L、C元件稱為“慣性元件”，即電感中的電流、電容器兩端的電壓，都有一定的“電慣性”，不能突然變化。充放電時(shí)間，不光與L、C的容量有關(guān)，還與充/放電電路中的電阻R有關(guān)。“1UF電容它的充放電時(shí)間是多長？”，不講電阻，就不能回答。
2019-05-29
電容 充放電時(shí)間 慣性元件
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