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2009領軍廠商評選調查：聚焦采購習慣和供求趨勢
2009中國電子元器件領軍廠商評選結果近期出臺，將于2009年11月11日在上海浦東新國際展覽中心舉辦盛大的頒獎和展示活動。這次活動是在電子元件技術網 (www.hdh-sz.com)的網絡平臺上投票產生。這次行業調查是中國電子展的重要活動，電子元件技術網攜手中國電子商情雜志組織和實施了這次調查。工業和信息化部、商務部、中國電子學會、中國電子元件協會和中國電子企業協會等給予這次行業調查大力支持。
2009-10-29
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ADA4424-6 :ADI推出高性能6通道視頻重建濾波器
日前，Analog Devices, Inc.最新推出一款高性能6通道視頻重建濾波器，使消費類媒體播放器和專業視頻系統設計者輕松實現對標清 (SD) 乃至高清 (HD) 視頻信號的濾波和驅動。ADA4424-6 具備三個標清和三個增強/高清 (ED/HD) 通道，頻率響應極其平坦，在0.1dB 通帶處不出現峰值，這正是1080p 高清媒體播放器和錄像機所要求的。
2009-10-27
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CTLSH1-40M563 ：Central Semiconductor推出低正向壓降整流器
Central Semiconductor推出功耗達500mW的低正向壓降整流器
2009-10-26
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國產設備走俏光伏市場 半導體領域積蓄力量
半導體設備行業是技術含量較高的行業，目前我國90%以上的半導體設備依賴進口，尤其在高端IC設備領域，幾乎沒有國內設備的聲音。因此，從其他半導體設備領域取得突破后，再“反哺”IC設備可以說是中國半導體設備行業最切實可行的路。
2009-10-23
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威世科技：通過收購策略打造無源和半導體領域的全能廠商
威世公司通過自主研發制造和收購其他公司等途徑打造了完整的無源元件和分立半導體產品線，目前是世界上分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電子產品及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一。
2009-10-16
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村田制作所：在陶瓷領域的持續創新
秉承“Innovator in Electronics”的企業口號，村田公司從未停止過創新。公司成立近六十年來，村田一直緊緊跟隨市場的變化，用創新的產品積極應對市場熱點和新的應用，不斷取得市場成功。
2009-10-16
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飛兆半導體：持續創新以提升系統能效
提到半導體領域的創新和卓越貢獻，有一家企業不得不說，他就是被稱作“硅谷之根”的飛兆半導體（Fairchild Semiconductor，很多人習慣稱作仙童半導體）。如今的飛兆半導體專注于綠色能源，以提升系統能效，是一家持續創新的高能效功率模擬、功率分立和光電解決方案廠商，宗旨是“拯救地球，從節約每一毫瓦開始”。
2009-10-16
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硅薄膜太陽能技術具先天優勢 準確定位是關鍵
在薄膜太陽能技術中，硅薄膜太陽能是業界投入最普遍的技術；市場研究機構DIGITIMESResearch指出，由于全球對硅薄膜材料研究相對成熟，且無缺料問題，再加上面板產業可借重在硅薄膜領域的經驗，國際大廠如夏普(Sharp)、三星電子(SamsungElectronics)與樂金電子(LGElectronics)等均投入硅薄膜太陽能量產技術的研發。
2009-10-15
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長電科技將打造世界級半導體封測企業
今年1-4月，我國電子信息產品累計進出口總額2016.93億美元，同比下降26.01%;電子信息產品累計出口1207.2億美元，同比下降24.15%。根據中國半導體行業協會的統計，2009年1-6月，中國IC封測行業僅完成219.8億元銷售額，同比下降38.6%。對長電科技而言，2009年以來公司在經營上也遭遇了嚴峻的挑戰。
2009-10-14
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諾貝爾獎當之無愧，CCD傳感器已無處不在
“影像傳感器技術對世界和整個社會帶來了巨大且深遠的影響，”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說。“影像傳感器的應用范圍甚廣，如數字相機、手機，已經成為現代文化密不可分的一部份，也影響了社交媒體和視訊共享革命的發展。”
2009-10-14
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Vicor推出VI BRICK BCM Array
Vicor 公司磚式電源業務部公布新推出VI BRICK BCM Array。這是一個高效率 (典型效率95%)， 高功率(達650W)的垂直式安裝的BCM陣列。 把380V 轉壓到隔離的12V或48V， 為負載點提供低電壓分布。 VI BRICK BCM Array俱備 VI晶片的各項優點， 結合牢固的封裝和優良的散熱配置， 簡化裝嵌及設計程序。
2009-10-13
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FDFME3N311ZT：飛兆半導體實現高效率的升壓開關
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關產品FDFME3N311ZT，有助提高手機、醫療、便攜和消費應用設計的升壓轉換電路效率。該器件結合了30V集成式N溝道PowerTrench? MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設計的效率。
2009-10-12
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