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大、中功率MOSFET與IGBT驅動電路方案探討
本文對應用于大、中功率情況下的MOSFET與IGBT的驅動電路方案進行了詳細的分析，并給出了具體的實現方案。
2010-02-17
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TLP358/58HF：Toshiba推出低功率柵極驅動光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器，設計用來驅動需要輸出電流高達±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅動器IC光耦合器TLP358系列適合用于工業逆變器，AC/DC伺服系統，感應加熱系統，工廠自動化設備和其它需要高輸出電流驅動級的應用中。
2010-01-19
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AUIRG7CH80K6B-M：IR推出焊前金屬的絕緣柵雙極晶體管
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。
2009-11-24
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如何正確地為太陽能逆變器應用選擇IGBT
介紹如何利用全橋逆變器拓撲及選用合適的IGBT，使太陽能應用的功耗降至最低.
2009-11-13
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STGW30N120KD/STGW40N120KD：低開關損耗1200V IGBT系列產品
日前，意法半導體（ST）推出新系列功率晶體管，可最大限度降低電機控制電路的兩大能耗源，降低家電、供暖通風空調（HVAC）系統、工業機床等日用設備對環境的影響。STGW30N120KD和STGW40N120KD是兩款導通損耗很低的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），可降低開關損耗。
2009-10-21
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IGBT在客車系統逆變器中的應用與保護
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(InsulatedGateBipolarTransistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應管的優點而發展的一種新型復合電子器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點
2009-08-24
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新IGBT技術提高應用性能
在實際的開關中，存在大量的正向和開關損耗。因而設計中的熱阻對模塊性能來說是至關重要的。本文討論IGBT2、IGBT3以及SEMITRANS?模塊采用的新IGBT4半導體技術之間的區別，并展示在某些情況下新IGBT4技術所帶來的性能提升。
2009-07-28
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逆變電源的IGBT保護技術
本文通過分析IGBT的結構及其安全工作區，解釋了在實際應用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結合單片機的控制程序對弧焊逆變電源的IGBT 采取相應措施進行保護，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2009-07-15
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IGBT驅動器輸出計算
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應用廣泛的功率半導體器件，驅動器的合理設計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹 了一些計算用于開關IGBT的驅動器輸出性能的方法。
2009-07-15
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節能技術研討會閉幕 低碳經濟催熱新型節能技術
2010年4月15日，深圳—電子元件技術網攜手第75屆中國電子展和China Outlook Consulting在深圳會展中心牡丹廳舉辦的“第三屆新型節能設計技術研討會”已圓滿結束。低碳經濟及其技術實現，成為了研討會探討的焦點話題，LED照明電源設計、新型IGBT、儲能電容、MCU的節能應用，作為滿足當前新型節能減碳設計的最熱門技術，收到與會者的關注。有300名左右的專業聽眾參加了研討會的活動。
2009-07-14
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混合動力汽車前景看好 IGBT成驅動核心
混合動力汽車是大規模應用新能源汽車的切入點。功率半導體器件與模塊在混合動力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動力汽車還需要在電池、電動、傳動及電氣系統等方面得到改善。
2009-07-01
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ACPL-312U：安華高可在延伸溫度范圍下工作的2.5A 門極驅動光電耦合器
安華高科技推出業內第一款可以在延伸溫度范圍下工作的 2.5A 門極驅動光電耦合器ACPL-312U。它具有高速響應，低功耗，-40°C 到 125°C 的延伸工業溫度范圍，采用標準 DIP-8 封裝?？芍苯油苿舆_ 1200V/100A 的 IGBT 晶體管。
2009-05-27
- 意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發與制造協議
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