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高壓負(fù)輸出充電泵提供低輸入和輸出紋波
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2012 年 5 月 10 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出通用高壓充電泵 LTC3260 和 LTC3261。LTC3261 是高壓負(fù)輸出充電泵，可提供高達(dá) 100mA 的輸出電流。LTC3260 具有與 LTC3261 相同的充電泵，但還包括兩個(gè)正及負(fù) LDO 穩(wěn)壓器，每個(gè) LD...
2012-05-10
高壓 充電泵 LDO LTC3260
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實(shí)現(xiàn)兆瓦級(jí)太陽(yáng)能與風(fēng)力發(fā)電變流器小型化和高效化
搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊” 開(kāi)始發(fā)售為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)，有效利用可再生能源的太陽(yáng)能發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電等兆瓦級(jí)大規(guī)模發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)正在不斷增加，對(duì)功率調(diào)節(jié)器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備的小型化和高效化要求也日益提高。想要實(shí)現(xiàn)發(fā)電系統(tǒng)進(jìn)一步小型化、高效化，一定要了解搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊”。
2012-05-10
IGBT模塊 MPD系列IGBT模塊 三菱電機(jī)
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光伏發(fā)電核心技術(shù)問(wèn)題全解析
光能發(fā)電是當(dāng)今世界的尖端科技，將為全人類(lèi)徹底解決“能源危機(jī)”“環(huán)境污染”和“可持續(xù)發(fā)展”等三大世界難題，將做出歷史性、跨世代的偉大貢獻(xiàn)，將為人類(lèi)利用新能源、新技術(shù)方面進(jìn)入一個(gè)嶄新的時(shí)代，在現(xiàn)實(shí)的發(fā)展中存在這若干的核心問(wèn)題。
2012-05-09
光伏 發(fā)電
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太陽(yáng)能控制器選擇的7大法則
從事太陽(yáng)能行業(yè)多年，認(rèn)識(shí)了朋友同行，了解到很多公司都是從傳統(tǒng)的市電路燈或者其他領(lǐng)域轉(zhuǎn)到太陽(yáng)能行業(yè)，一些朋友在施工過(guò)程中以及在使用過(guò)程中出現(xiàn)過(guò)很多問(wèn)題，主要還是對(duì)太陽(yáng)能路燈的配置組合以及相關(guān)輔件應(yīng)用掌握的不夠。
2012-05-09
太陽(yáng)能 控制器 法則
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Power Integrations完成收購(gòu)CT-Concept Technologie AG
用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司近日宣布已完成對(duì)CT-Concept Technologie AG的收購(gòu)，自5月1日起生效。
2012-05-09
高壓驅(qū)動(dòng) 驅(qū)動(dòng)電壓 IGBT 模塊
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羅姆開(kāi)發(fā)出世界最小的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管！
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社近日面向智能手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等追求小型、薄型化的各種電子設(shè)備，開(kāi)發(fā)出世界最小※1的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管。
2012-05-09
快速恢復(fù) 二極管 智能手機(jī) 數(shù)碼相機(jī)
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開(kāi)關(guān)電源降低功耗及提高其待機(jī)效率的方法
隨著能源效率的日益重要，人們對(duì)開(kāi)關(guān)電源待機(jī)效率期望越來(lái)越高，客戶(hù)要求電源制造商的電源產(chǎn)品能滿足綠色能源標(biāo)準(zhǔn)。而大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源由額定負(fù)載轉(zhuǎn)入待機(jī)狀態(tài)時(shí)，電源效率急劇下降,待機(jī)效率不能滿足要求。這就給電源設(shè)計(jì)工程師們提出了新的挑戰(zhàn)。
2012-05-09
開(kāi)關(guān)電源 功耗 待機(jī)效率
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4.5V下1.35mΩ Vishay新一代TrenchFET MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)紀(jì)錄
Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV系列30V N溝道功率MOSFET器件，新器件實(shí)現(xiàn)了非常高密度的設(shè)計(jì)，而沒(méi)有明顯增加?xùn)艠O電荷，在10V電壓下實(shí)現(xiàn)了1.0mΩ的極低導(dǎo)通電阻，4.5V下1.35mΩ的導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水準(zhǔn)。
2012-05-09
TrenchFET MOSFET SiRA00DP 導(dǎo)通電阻 Vishay
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PHEV大功率離線式電池充電器設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和解決對(duì)策
隨著汽車(chē)制造廠商對(duì)下一代電池管理和充電系統(tǒng)要求的確定，半導(dǎo)體公司正在推進(jìn)預(yù)期能夠滿足這些要求的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)程。TI電源系統(tǒng)工程師John Rice將討論與插電式混合動(dòng)力汽車(chē)(PHEV)中的大功率、離線式電池充電器開(kāi)發(fā)相關(guān)的設(shè)計(jì)要求、架構(gòu)及挑戰(zhàn)，并舉例說(shuō)明為何要為這類(lèi)應(yīng)用創(chuàng)建數(shù)字電源架構(gòu)。
2012-05-08
TI PHEV 電池管理 BMS 數(shù)字電源控制 HEV
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